现已提供样品，为AI数据中心、机器东说念主及动力基础环节诓骗带来更高功率密度与能效

摘记

安森好意思（onsemi）晓喻推出全新GaNEXUS™氮化镓（GaN）功率居品组合。该系列专为在东说念主工智能（AI）数据中心、工业自动化、机器东说念主及动力基础环节等诓骗中已毕更高能效、更高功率密度及更优热性能而打算。首批居品包括遮蔽40V至650V电压规模的GaNEXUS FET样品，其中包含集成保护功能的650V GaN FET——GaNEXUS Smart器件，可简化系统集成并提高举座可靠性。

新闻亮点

安森好意思的GaNEXUS居品组合为下一代电源架构带来更快开关速率、更低开关损耗、更高功率密度及更优热性能

遮蔽40V至650V的GaNEXUS FET及集成保护功能的650V GaN FET——GaNEXUS Smart器件，现已运转提供样品

纠合安森好意思集成感知、戒指、保护和电源护士功能的Treo平台，GaNEXUS可已毕更智能、更可靠、更矜重的系统级电源贬责决策

纠合安森好意思的硅、EliteSiC与GaNEXUS时代，为客户优化整个这个词电力传输链的能效、热性能、系统尺寸及总老本提供更大纯真性

安森好意思推出GaNEXUS™氮化镓功率居品组合，首批样品包括遮蔽40V至650V电压规模的GaNEXUS FET，以及650V GaN FET——GaNEXUS Smart器件。该居品组稳妥用于对电力需求高的诓骗场景，包括AI数据中心供电、48V系统、机器东说念主与工业自动化，以及动力基础环节等。

GaNEXUS的加入推广了安森好意思智能电源居品组合的才气，大致为不同诓骗、电压域和性能条款提供优化的电源贬责决策。GaNEXUS、硅和EliteSiC时代组成了安森好意思日常的电源居品组合，为客户在整个这个词电力传输架构中优化性能、能效、热性能及系统总老本提供更大纯真性。

进击有趣

跟着AI基础环节、电气化、工业自动化及动力系统的快速发展，对更高能效和更紧凑电源架构的需求握续增长，打算东说念主员在能耗、热护士及系统尺寸方面面对日益严峻的挑战。

与传统硅基决策比拟，GaNEXUS通过已毕更快开关速率、更低开关损耗、更高功率密度及更优热性能，灵验应付上述挑战。这些上风匡助客户大致在AI数据中心供电、电动汽车充电、机器东说念主及工业电源系统等诓骗打算中，缩小磁性元件及散热系统尺寸，同期提高举座系统能效与反应速率，并裁减系统老本。

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安森好意思氮化镓行状部副总裁Antoine Jalabert示意：“咱们的GaNEXUS居品组合正在鞭策电源系统打算迈向全新架构。跟着客户不停追求在更小空间内已毕更大功率，BG真人(BigGaming)官方网站GaNEXUS为工程师提供了更大的纯真性，以打破传统电源架构的末端。”

时代已毕

GaNEXUS旨在优化当代电源系统中的电能息争与电源护士。将GaNEXUS与安森好意思的Treo平台（集成感知、戒指、保护及电源护士）合营使用时，可提供完好的系统级电源贬责决策，已毕更智能、更可靠、更矜重的系统推崇。这种系统级决策有助于客户简化整个这个词电力传输链的打算复杂性，加速成就与认证速率，裁减散热与冷却需求，并优化性能。

在包括AI干事器48V中间母线息争器（IBC）、电板备用单位（BBU）及电机驱动等中低压系统中，GaNEXUS可已毕：

磁性元件尺寸缩小约30%–60%

功率密度提高约1.5–2倍

能效提高约0.5%–2%（取决于拓扑结构）

裁减开关损耗，改善热性能与戒指踏实性

在AI电源机架、高压DC-DC息争、PFC及LLC功率级等高压诓骗中，GaNEXUS可已毕：

在高频AC-DC与谐振级中，磁性元件尺寸最多可缩减约60%

在PFC、LLC及高压DC-DC架构中，功率密度提高约1.5–2倍

能效提高约0.5%–1%，在限制化部署时权贵优化热性能并改善运营老本

更低损耗可消弱紧凑型高功率系统中的热应力

GaNEXUS Smart裁减系统风险，简化功率级打算，从而加速认证速率并提高可靠性

GaNEXUS器件采取增强散热的封装，具备行业圭臬的引脚布局，复古双源供货，举例TOLL底部散热、TOLT顶部散热，以及3.3mm×3.3mm和5mm×6mm的双面散热封装。

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